RP1E100XNTR

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Parte del fabricante

RP1E100XNTR

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
RP1E100XNTR PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:10A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:13mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:11 nC @ 5 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:800 pF @ 10 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:MPT6
  • paquete / caja:6-SMD, Flat Leads
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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