19MT050XF

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Parte del fabricante

19MT050XF

Fabricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Descripción
MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
19MT050XF PDF
Consulta
  • serie:HEXFET®
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:4 N-Channel (H-Bridge)
  • característica fet:Standard
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):500V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:31A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:220mOhm @ 19A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:6V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:160nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:7210pF @ 25V
  • potencia - máx.:1140W
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • paquete / caja:16-MTP Module
  • paquete de dispositivos del proveedor:16-MTP
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