EPC2111

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Parte del fabricante

EPC2111

Fabricante
EPC
Descripción
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
65727
Hojas de datos en línea
EPC2111 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Half Bridge)
  • característica fet:GaNFET (Gallium Nitride)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:16A (Ta)
  • rds en (máx.) @ id, vgs:19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 5mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:230pF @ 15V, 590pF @ 15V
  • potencia - máx.:-
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:Die
  • paquete de dispositivos del proveedor:Die
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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