TPH3208LDG

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Parte del fabricante

TPH3208LDG

Fabricante
Transphorm
Descripción
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
285
Hojas de datos en línea
TPH3208LDG PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):650 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:20A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:130mOhm @ 13A, 8V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.6V @ 300µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:14 nC @ 8 V
  • vgs (máx.):±18V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:760 pF @ 400 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):96W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:3-PQFN (8x8)
  • paquete / caja:3-PowerDFN
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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