FDMS3606AS

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Parte del fabricante

FDMS3606AS

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
FDMS3606AS PDF
Consulta
  • serie:PowerTrench®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:13A, 27A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:8mOhm @ 13A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.7V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:29nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1695pF @ 15V
  • potencia - máx.:1W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-PowerTDFN
  • paquete de dispositivos del proveedor:Power56
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