BSG0810NDIATMA1

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Parte del fabricante

BSG0810NDIATMA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
BSG0810NDIATMA1 PDF
Consulta
  • serie:OptiMOS™
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • característica fet:Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):25V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:19A, 39A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:3mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:8.4nC @ 4.5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1040pF @ 12V
  • potencia - máx.:2.5W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 155°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-PowerTDFN
  • paquete de dispositivos del proveedor:PG-TISON-8
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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