IPG20N06S4L11ATMA2

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Parte del fabricante

IPG20N06S4L11ATMA2

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET_)40V 60V)
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
4975
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:20A (Tc)
  • rds en (máx.) @ id, vgs:11.2mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.2V @ 28µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:53nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:4020pF @ 25V
  • potencia - máx.:65W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-PowerVDFN
  • paquete de dispositivos del proveedor:PG-TDSON-8-10
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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