PMWD20XN,118

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Parte del fabricante

PMWD20XN,118

Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
PMWD20XN,118 PDF
Consulta
  • serie:TrenchMOS™
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:10.4A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:22mOhm @ 4.2A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.5V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:11.6nC @ 4.5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:740pF @ 16V
  • potencia - máx.:4.2W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-TSSOP
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